NJVMJD31T4G datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  NJVMJD31T4G
• Производитель
  ON Semiconductor
• Описание
  ON Semiconductor NJVMJD31T4G RoHS: yes Transistor Polarity: NPN Collector- Base Voltage VCBO: 100 V Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.2 V Gain Bandwidth Product fT: 3 MHz Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: DPAK Brand: ON Semiconductor Continuous Collector Current: 3 A DC Collector/Base Gain hfe Min: 10 DC Current Gain hFE Max: 50 Maximum Power Dissipation: 15 W Minimum Operating Temperature: - 65 C Factory Pack Quantity: 2500
• Количество страниц
  11 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  152,04 KB

NJVMJD31T4G datasheet скачать

NJVMJD31T4G datasheet